پاورپوینت رسوب دهی لایه اتمی با روش های الکتروشیمیایی

پاورپوینت سمینار رسوب دهی لایه اتمی با روش های الکتروشیمیایی

پاورپوینت سمینار رشته نانو شیمی

عنوان انگلیسی: lectrochemical Atomic Layer Deposition by electrochemical methods

دانلود پیش نمایش اسلاید های اولیه

بخشی از محتوای سمینار رسوب دهی

مقدمه

جابجایی الكتریكی از قرن نوزدهم به عنوان یك روش برای آماده سازی غشا نازك عمل كرده است ، هرچند برخی تصور می كنند كه مستعد آلودگی و دقت كمتری نسبت به فرآیندهای متناظر با خلا مربوطه است. با معرفی فرآیند پوشش دهی با مس برای تشکیل اتصالات در یکپارچه سازی در مقیاس فوق العاده بزرگ (ULSI) ، مشخص شده است که استقرار الکترود می تواند مانند سایر روش های رسوب لایه نازک مناسب باشد.

این مقاله استدلال می کند که رسوب لایه اتمی الکتروشیمیایی E-ALD))  می تواند رسوب را تا لایه تک اتمی کنترل کند و ممکن است روزی رقیب جدی برای کنترل رشد نانوفیلم ، اپیتاکسی پرتوی مولکولی MBE)) باشد.

شرح فرآیند رسوب دهی لایه اتمی

در فرآیند معمول رسوب‌دهی لایه اتمی (ALD) ابتدا سطح توسط واکنش شیمیایی فعال می‌شود. هنگامی که مولکول‌های پیش‌ماده به محفظه رسوب‌دهی وارد می‌شوند با گونه‌های سطح فعال واکنش می‌دهند و پیوند شیمیایی ایجاد می‌کنند. از آنجایی که مولکول‌های پیش‌ماده با یکدیگر واکنش نمی‌دهند، بیش از یک لایه مولکولی نمی‌تواند در این مرحله رسوب‌گذاری شود.

در مرحله بعد، تک‌لایه رسوب داده شده دوباره از طریق واکنش شیمیایی سطح فعال شده و مولکول‌های پیش‌ماده وارد محفظه می‌شوند. در این مرحله با توجه به نوع لایه می‌‌توان از پیش‌ماده متفاوتی هم استفاده کرد. با تکرار این مراحل، لایه‌های اتمی و یا مولکولی را در هر مرحله می‌توان رسوب داد. شماتیک روش رسوب‌دهی لایه اتمی در شکل زیر نشان داده شده است.

نمای کلی فرآیند رسوب‌دهی لایه اتمی. آ) سطح زیر‌لایه اصلاح شده. ب) واکنش پیش‌ماده A با سطح. پ) خروج پیش‌ماده اضافه و محصولات جانبی تولید شده. ت) واکنش پیش‌ماده B با سطح. ث) خروج پیش‌ماده اضافه و محصولات جانبی تولید شده. ج) تکرار مراحل ۲ الی ۵ تا هنگامی که به ضخامت دلخواه برسد.

فهرست مطالب سمینار

• مقدمه
• شرح فرآیند رسوب دهی لایه اتمی
• رسوب‌دهی لایه اتمی ALD
• رشد لایه دی‌اکسید تیتانیوم
• رسوب‌دهی لایه اتمی UPD
• چرخه E-ALD
• چرخه CdS یک چرخه UPD کاهنده اکسیداتیو (O-R)
• چرخه تعویض محدود اکسایش سطحی (SLRR)
• نتیجه گیری
• منابع

منابع انگلیسی مورد استفاده در سمینار

1)Guozhong, Cao. Nanostructures and nanomaterials: synthesis, properties and applications. World scientific, 2004.

2)Johnson, Richard W., Adam Hultqvist, and Stacey F. Bent. “A brief review of atomic layer deposition: from fundamentals to applications.” Materials today 17.5 (2014): 236-246.

3)T. L. Wade, L.C. Ward, C. B. Maddox, U. Happek, and J. L. Stickney, Electrochem. Solid-State Lett., 2, 616 (1999); (b.) M. Innocenti, F. Forni, G. Pezzatini, R. Raiteri, F. Loglio, and M. L. Foresti, J. Electroanal. Chem., 514, 75 (2001).

4)V. Venkatasamy, N. Jayaraju, S. M. Cox, C. Thambidurai, and J. L. Stickney, J. Electrochem. Soc., 154, H720 (2007).

5)W. Zhu, J. Y. Yang, D. X. Zhou, C. J. Xiao, and X. K. Duan, Electrochim. Acta, 53, 3579 (2008).

6)N. Dimitrov, R. Vasilic, and N. Vasiljevic, Electrochem. Solid- State Lett., 10, D79 (2007).

7)(a.) J. Y. Kim, Y.-G. Kim, and J. L. Stickney, J. Electroanal. Chem., 621, 205 (2008); (b.) L. T. Viyannalage, R. Vasilic, and N. Dimitrov, J. Phys. Chem. C, 111, 4036 (2007).